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一、什么是CMP
化学机械研磨 (CMP)，全名Chemical Mechanical Polishing或Chemical Mechanical Planarization，是一种全局平坦化工艺，几乎每一座晶圆厂都会用到，在现代半导体制造中十分重要。
二、为什么要使用cmp，单纯物理研磨不行吗？
cmp主要是用来全局平坦化的，如果没有cmp，甚大规模集成电路（ULSI）的生产就无法进行。因为一个芯片有几十上百层，每一层都要达到原子层级的平整。如果不进行cmp工序，晶圆表面的上下起伏很大，导致无法继续进下一工序。就像盖一栋几百层的房子，哪怕每层前后差一块砖的厚度，几百层下来房子也是要盖歪的。随着芯片制程进入到5nm和先进封装、叠层阶段，对平整度的要求更高，使用CMP的次数也数十倍的增长。
三、竞争格局
全球CMP设备行业处于高度垄断状态，美国应用材料和日本荏原两家独大。目前应用材料和日本荏原占比分别问64.16%和29.13%，韩国KC Tech、东京精密，占比分别为4.30%、2.40%，排名第三第四。
目前美国联合封杀中国的芯片行业，从设备到化学品一律控制，CMP迟早也会进入封锁目录，因此国产化替代刻不容缓（目前国产化率不足15%）。并且，在AI发展带动的芯片需求迅速扩增的今天，晶圆厂产能利用率大增，海外晶圆厂也进入扩产周期。
四、CMP的增量有多少？
1、18年的资料显示，CMP占芯片总成本的7%，目前来看我认为这个数据大概率是错误的。原因如下：
首先，随着芯片制程不断缩小，5nm就需要34次以上的抛光，相对之前需求大幅度增加，而这仅仅是晶圆级别的需求。
其次，是先进封装对于CMP的需求，随着AI对算力需求的爆发式增长，HBM的订单爆满，产能成为限制的瓶颈。三星、海力士为了提高HBM性能，提出了16层堆叠的HBM，而这里面的新技术就是混合键合。
而要实现这项技术，非常核心的就是平整度，如果按照技术说明，要进入到晶圆级别的封装，16层的HBM就需要至少增加16次抛光工艺。
2、根据上面的资料，我们可以得出一个结论，随着工艺需求量的增加，CMP在芯片制造环节的成本占比一定会大幅度增加，这是工艺上绕不开的环节，这方面我保守认为能站到总成本的12%左右（原有7%的基础上，增加近一倍的工艺量）
3、国产化替代空间巨大，华海清科整套设备，鼎龙股份CMP抛光垫，三超新材cmp-disk耗材，将受益于全球晶圆需求爆发曲线。
五、关于三超新材
三超新材的主营业务目前依旧是金刚线，用于光伏领域，属于公司的基础，在发力扩增的是半导体设备和耗材领域，从子公司拿地的动作就可以看出来。而我认为公司的信心来自以下几点
1、cmp-disk，这方面的龙头是日本的disco，前几年三超挖了他们的工程师，研发了出来，属于国内绝对的0-1的突破，目前已经通过几个晶圆厂的验证，进入了中芯国际，至于盛和晶，目前有传闻，但是还没有得到确切的订单信息，就当一个预期吧。CMP-DISK作用是用来保持抛光垫片的可用性，属于非常关键耗材，是直接受益于晶圆扩产以及芯片制程、封装工艺需求的。
2、硅片刀，目前主要还是被日本垄断，三超做出来的是最接近日本标准的，日本是10-12um，三超是10-15um，目前也小批量供货了，
3、玻璃基板，玻璃基板是目前微软、三星在发力的技术，目前已经拿了产线改造中试线进行验证。三超前段时间暴涨的逻辑就是因为公司产品，可以用于玻璃基板的加工生产，因此也是直接受益的。
综上，目前三超基本跌回起涨点，结合半导体景气周期，上涨空间是远大于下跌风险的，我计划做好止损，小仓位尝试低吸，等待走势验证后再加仓。